SK海力士在美国的投资布局，可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。

据路透社9月16日援引三名知情人士消息，SK海力士正与英特尔就首次在美国本土制造内存芯片展开洽谈。目前讨论的方案包括两种路径：一是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂设施；二是更为大胆的方案——由SK海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。

不过，谈判仍处于探索阶段，具体生产DRAM、NAND还是其他产品尚未确定。SK海力士随后发布声明强调，目前尚未决定与特定企业合作，也没有最终确定美国内存生产计划。

印第安纳项目：美国拿到HBM后道，却未拿到前道

就在上个月，SK海力士刚刚为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超过40亿美元，计划2029年下半年量产下一代HBM。该项目被包装为首个"美国制造"HBM基地，但从产业链分工来看，核心DRAM晶圆实际上仍然在韩国生产，再运到美国完成先进封装和测试。

换句话说，美国拿到的是HBM产业链中非常重要的一环，却还没有拿到SK海力士最核心的前道晶圆制造。这种安排在过去有其合理性——韩国拥有全球最成熟的DRAM制造集群，SK海力士的工艺、产能、供应链和工程师体系高度集中于此。把封装测试放在美国，既能回应美国政府推动本土制造的诉求，又能避免动摇韩国作为内存制造核心的地位。

俄亥俄变量：从封装本土化到晶圆本土化

现在讨论俄亥俄项目，性质就不同了。如果SK海力士真的把DRAM晶圆制造搬到美国，美国半导体本土化就将从"把最后几道关键工序放在美国"，进一步变成"把核心芯片本身也在美国制造"。

背后既有市场因素，也有明显的政策压力。SK集团会长崔泰源今年7月就公开表示，公司正受到客户和各国要求增加芯片供应的巨大压力，并称"我认为我们需要在美国建一座工厂"。与此同时，美国商务部长卢特尼克曾威胁，对没有增加美国本土生产承诺的韩国和台湾半导体企业征收最高100%的关税。华盛顿也一直推动SK海力士尽快承诺进一步扩大美国投资。

对英特尔而言，俄亥俄项目同样需要新的出路。英特尔早在2022年就宣布在那里建设大型芯片基地，但两座工厂的投产时间后来推迟至2030年和2031年。如果SK海力士租用部分设施，不必完全从零建设美国晶圆厂；英特尔则可以提高资产利用率、缓解巨额投资压力。若云计算巨头也加入，甚至可能形成一种新的AI供应链模式：客户直接参与上游产能建设，以换取稳定的HBM和DRAM供应。

真正棘手的在韩国

DRAM和HBM已经被韩国视为核心产业技术。韩国贸易部门明确表示，如果美国投资涉及"国家核心技术"，必须依照《产业技术保护法》接受审查。美国建厂的人工、建设和供应链成本本来也明显高于韩国。

而且SK海力士并没有准备放弃韩国。今年8月，公司刚宣布在龙仁和清州追加约54万亿韩元，建设新的DRAM和NAND晶圆厂。

所以更准确的理解不是"SK海力士要把产能搬离韩国"，而是美国正在一点点提高进入其AI产业链的门槛：最初只需要把芯片卖给美国，后来要求在美国封装HBM；现在，讨论已经进一步深入到DRAM晶圆制造。

美国想要的，正在从"韩国企业来投资"，变成"韩国最核心的半导体制造能力也必须在美国落地一部分"。如果SK海力士最终跨出这一步，接下来面对同样问题的，就不会只有SK海力士。

长江有色金属网讯